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特点

紧凑型设计，分辨率为4 nm^*1

通过高灵敏度二次电子探测器，背散射探测器，低真空探测器（UVD^*2），实现低加速电压/低真空下高质量图像观察

操作简捷，即使新手也能拍出高质量的图片

新开发的导航功能「SEM MAP」，便于快速锁定视野

大窗口（30 mm²）SDD能谱系统，便于快速分析元素成分^*2

规格

项目	内容
分解能*3	4.0 nm @ 20 kV （SE：高真空模式） 15.0 nm @ 1 kV （SE：高真空模式） 5.0 nm @ 20 kV （BSE：低真空模式）
加速电压	0.3 kV ～ 20 kV
放大倍率	6× ～ 300,000× （底片倍率） 16× ～ 800,000× （显示倍率）
低真空模式	真空范围：6 ～ 100 Pa
电子**	预对中钨灯丝
样品台	3-轴自动马达台 X：0 ～ 40 mm, Y：0 ～ 50 mm, Z：5 ～ 15 mm R：360°, T：-15° ～＋90°
****样品尺寸	直径80 mm
****样品高度	40 mm
尺寸	主机：450（W） x 640（D） x 670（H） mm 供电单元：450（W） x 640（D） x 450（H） mm
探测器选配	· 高灵敏度低真空二次电子探测器（UVD） · 能量分散型X线探测器（EDS）

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